太陽能鍺晶片

            公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

            We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


            鍺晶片技術規格

               生長方法

              Growth Method 

               VGF 

              摻雜類型

              Dopant 

              P型:鎵 

              p-type: Ga 

              N型:砷

              n-type: As

              晶片形狀

              Wafer Shape 

              圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

              Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

              晶向 

              Surface Orientation * 

              (100)±0.5° 

              * Other Orientations maybe available upon request 

                其他晶向要求可根據客戶需求加工 

              電阻率 

              Resistivity  (Ω.cm) 

              根據客戶要求

              As Required

              位錯 

              Etch Pitch Density (cm2) 

              ≤ 300 

              厚度 

              Thickness (μm) 

              175±25(或根據客戶要求)

              175±25 (or as required) 

              TTV [P/P] (μm) 

              ≤ 10 

              WARP (μm) 

              ≤ 15 

              IF** (mm) 

              32.5±1 

              **If needed by customer 

                  根據客戶需要 

              主面拋光

              Surface 

               E/E, P/E, P/G 


            鍺襯底產品營銷中心:
            聯系電話:13398718466
            E-mail:alexchen@sino-ge.com
            傳真:+86 871 65902819
            COPYRIGHT © YUNNAN GERMANIUM ALL RIGHT RESERVED 滇ICP備14000149號-1
            技術支持:奧遠科技
            彩票app